色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > SD1480-06

SD1480-06

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: M111
數(shù)量：: 3267
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN 28V 136-175MHz

一、本商品被瀏覽0次.

SD1480-06 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：2
包裝形式：Tube
最大功率耗散：270 W
直流電流增益 hFE 最大值：200
集電極連續(xù)電流：20 A
封裝形式：M111
安裝風格：SMD/SMT
直流集電極/Base Gain hfe Min：20
集電極—射極飽和電壓：36 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：4 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：36 V
集電極—基極電壓 VCBO：65 V
晶體管極性：NPN
RoHS：是
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：STMicroelectronics

以上是SD1480-06的詳細信息，包括SD1480-06廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：