中文參數如下： 晶體管極性：NPN 安裝風格：Screw 最小工作溫度：- 65 C 最大工作溫度：+ 150 C 包裝形式：Tray 封裝形式：M111 功率耗散：140 W 集電極連續電流：10 A 發射極 - 基極電壓 VEBO：4 V 集電極—發射極最大電壓 VCEO：35 V 最大工作頻率：170 MHz to 230 MHz 直流集電極/Base Gain hfe Min：10 配置：Single Dual Emitter RoHS：是 制造商：Advanced Semiconductor, Inc.
