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中文參數如下：
晶體管極性：NPN
安裝風格：Screw
最小工作溫度：- 65 C
最大工作溫度：+ 150 C
包裝形式：Tray
封裝形式：M113
功率耗散：13 W
集電極連續電流：1 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：4 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：35 V
最大工作頻率：150 MHz
直流集電極/Base Gain hfe Min：10
配置：Single Dual Emitter
RoHS：是
制造商：Advanced Semiconductor, Inc.
以上是SD1013-03的詳細信息，包括SD1013-03廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
