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SBC808-25LT1G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 SOT-23-3(TO-236)
數(shù)量:
 4437  
說(shuō)明:
 兩極晶體管 - BJT SS GP XSTR SPCL TR
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SBC808-25LT1G-SOT-23-3(TO-236)圖片

SBC808-25LT1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
供應(yīng)商器件:
封裝封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
頻率 - 躍遷:100MHz
功率 - 最大值:300 mW
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):160 @ 100mA,1V
電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):700mV @ 50mA,500mA
電壓 - 集射極擊穿(最大值):25 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):500 mA
晶體管類型:PNP
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:Automotive, AEC-Q101
系列:卷帶(TR)
品牌:onsemi

以上是SBC808-25LT1G的詳細(xì)信息,包括SBC808-25LT1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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