色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 集成電路 - IC > 內(nèi)存 > 電可擦除可編程只讀存儲器 > S34MS02G104BHV013

S34MS02G104BHV013

廠家：: Cypress Semiconductor Corp
封裝：: 63-BGA（11x9）
數(shù)量：: 81
說明：: IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63BGA

一、本商品被瀏覽0次.

S34MS02G104BHV013 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝：63-BGA（11x9）
封裝/外殼：63-VFBGA
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 105°C（TA）
電壓 - 供電：1.7V ~ 1.95V
訪問時間：45 ns
寫周期時間 - 字，頁：45ns
時鐘頻率：-
存儲器接口：并聯(lián)
存儲器組織：128M x 16
存儲容量：2Gb
技術(shù)：閃存 - NAND
存儲器格式：閃存
存儲器類型：非易失
產(chǎn)品狀態(tài)：Digi-Key 停止提供
包裝：MS-1
系列：卷帶（TR）
品牌：Cypress Semiconductor Corp

以上是S34MS02G104BHV013的詳細信息，包括S34MS02G104BHV013廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他內(nèi)存產(chǎn)品：

NVRAM 閃存動態(tài)隨機存取存儲器可擦除可編程ROM F-RAM

電可擦除可編程只讀存儲器最新產(chǎn)品：

SST26VF032BT-80E/SM70SVAO

SST25PF040CT-40E/NP18GVAO