色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 集成電路 - IC > 內存 > 電可擦除可編程只讀存儲器 > S34ML04G200BHB000

S34ML04G200BHB000

廠家：: Cypress Semiconductor Corp
封裝：: 63-BGA（11x9）
數量：: 324
說明：: IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA

一、本商品被瀏覽0次.

S34ML04G200BHB000 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
封裝：63-BGA（11x9）
封裝/外殼：63-VFBGA
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 105°C（TA）
電壓 - 供電：2.7V ~ 3.6V
訪問時間：-
寫周期時間 - 字，頁：25ns
時鐘頻率：-
存儲器接口：并聯
存儲器組織：512M x 8
存儲容量：4Gb
技術：閃存 - NAND
存儲器格式：閃存
存儲器類型：非易失
產品狀態：Digi-Key 停止提供
包裝：ML-2
系列：托盤
品牌：Cypress Semiconductor Corp

以上是S34ML04G200BHB000的詳細信息，包括S34ML04G200BHB000廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他內存產品：

NVRAM 閃存動態隨機存取存儲器可擦除可編程ROM F-RAM

電可擦除可編程只讀存儲器最新產品：

W25Q128JWBIM TR

W25Q128JWBIM

W25Q128JWEIM

SST26VF032BT-80E/SM70SVAO

SST25PF040CT-40E/NP18GVAO

USBF4100T-V/NPVAO

MT29AZ5A5CHGSQ-18AAT.87U TR

MT29AZ5A5CHGSQ-18IT.87U TR