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RSR020N06TL

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: TSMT3
數(shù)量：: 4077
說明：: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT6

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RSR020N06TL PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：170 毫歐 @ 2A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：2A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs：2.7nC @ 5V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：180pF @ 10V
功率 - 最大：1W
安裝類型：表面貼裝

以上是RSR020N06TL的詳細(xì)信息，包括RSR020N06TL廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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