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RSD200N10TL

廠家：
  ROHM Semiconductor
封裝：
 CPT3
數(shù)量：
 6165  
說明：
 MOSFET Nch; 20W; 100V; 20A
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RSD200N10TL-CPT3圖片

RSD200N10TL PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：128 ns
功率耗散：20 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：CPT3
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：52 mOhms
漏極連續(xù)電流：20 A
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ROHM Semiconductor

以上是RSD200N10TL的詳細信息，包括RSD200N10TL廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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