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RS1FJ-M3/I

廠家：: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封裝：: DO-219AB（SMF）
數量：: 2862
說明：: DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB

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RS1FJ-M3/I PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝工作溫度 - 結封裝：DO-219AB（SMF）
封裝/外殼：DO-219AB
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容：5pF @ 4V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：5 μA @ 600 V
反向恢復時間 (trr)：500 ns
速度：快速恢復 = 200mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.25 V @ 1 A
電流 - 平均整流 (Io)：1A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V
技術：標準
產品狀態：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

以上是RS1FJ-M3/I的詳細信息，包括RS1FJ-M3/I廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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