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RS1FJ-M3/I

廠家:
  Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封裝:
 DO-219AB(SMF)
數(shù)量:
 2862  
說明:
 DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
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RS1FJ-M3/I-DO-219AB(SMF)圖片

RS1FJ-M3/I PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝:DO-219AB(SMF)
封裝/外殼:DO-219AB
安裝類型:表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容:5pF @ 4V,1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:5 μA @ 600 V
反向恢復(fù)時間 (trr):500 ns
速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io)
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.25 V @ 1 A
電流 - 平均整流 (Io):1A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V
技術(shù):標準
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:卷帶(TR)
品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

以上是RS1FJ-M3/I的詳細信息,包括RS1FJ-M3/I廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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