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RQ1E050RPTR

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 8-SMD，扁平引線
數量：: 3517
說明：: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8

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RQ1E050RPTR PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：31 毫歐 @ 5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：5A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：1300pF @ 10V
功率 - 最大：1.5W
安裝類型：表面貼裝

以上是RQ1E050RPTR的詳細信息，包括RQ1E050RPTR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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