點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：表面貼裝型
功率 - 最大值：300mW
頻率 - 躍遷：200MHz
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：300mV @ 250μA，5mA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：50 @ 10mA，5V
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)：10 千歐
電阻器 - 基極 (R1)：10 千歐
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA
晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預(yù)偏壓式（雙）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是RN4602TE85LF的詳細(xì)信息，包括RN4602TE85LF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管   JFET   IGBT 晶體管   開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器   IGBT 模塊  

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：

RN1711JE(TE85L,F)

RN2706JE(TE85L,F)

DCX114YUQ-13-F

DCX124EUQ-13-F

DCX114EUQ-7-F

DDC124EUQ-7-F

DDC114YUQ-7-F

DCX123JUQ-7-F

NSBC115EPDXV6T1G

NSBC144WDXV6T1G