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RN1102MFV,L3XHF(CT

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: VESM
數量：: 5781
說明：: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10K, Q1BER=

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RN1102MFV,L3XHF(CT PDF參數資料

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中文參數如下：
供應商器件：VESM
封裝/外殼：SOT-723
安裝類型：表面貼裝型
功率 - 最大值：150 mW
頻率 - 躍遷：-
電流 - 集電極截止（最大值）：500nA
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：300mV @ 500μA，5mA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：50 @ 10mA，5V
電阻器 - 發射極 (R2)：10 kOhms
電阻器 - 基極 (R1)：10 kOhms
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100 mA
晶體管類型：NPN - 預偏壓
產品狀態：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是RN1102MFV,L3XHF(CT的詳細信息，包括RN1102MFV,L3XHF(CT廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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