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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：40 ns
工廠包裝數量：1000
上升時間：18 ns
功率耗散：2 W
下降時間：20 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：MPT3
安裝風格：Through Hole
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.21 Ohms
漏極連續電流：2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ROHM Semiconductor

以上是RJP020N06T100的詳細信息，包括RJP020N06T100廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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