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RJK2055DPA-00#J0

廠家:
  Renesas Electronics America Inc
封裝:
 8-PowerWDFN
數(shù)量:
 7785  
說明:
 MOSFET N-CH 200V W-PAK
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RJK2055DPA-00#J0-8-PowerWDFN圖片

RJK2055DPA-00#J0 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:69 毫歐 @ 10A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:20A
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs:38nC @ 10V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) :2400pF @ 25V
功率 - 最大:30W
安裝類型:*

以上是RJK2055DPA-00#J0的詳細(xì)信息,包括RJK2055DPA-00#J0廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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