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RJK0856DPB-00#J5

廠家:
  Renesas Electronics America Inc
封裝:
 LFPAK
數量:
 279  
說明:
 MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK
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RJK0856DPB-00#J5-LFPAK圖片

RJK0856DPB-00#J5 PDF參數資料

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中文參數如下:
:150°C(TJ)
功率耗散(最大值):65W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):3000 pF @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):40 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):-
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):8.9 毫歐 @ 17.5A,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):35A(Ta)
漏源電壓(Vdss):80 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:在售
包裝:-
系列:卷帶(TR)
品牌:Renesas Electronics America Inc

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