色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > RJH1CM5DPQ-E0#T2

RJH1CM5DPQ-E0#T2

廠家：: Renesas Electronics America Inc
封裝：: TO-247
數(shù)量：: 1503
說(shuō)明：: IGBT 1200V 30A 245W TO247

一、本商品被瀏覽0次.

RJH1CM5DPQ-E0#T2 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-247-3
安裝類型：通孔
工作溫度：150°C（TJ）
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：200 ns
測(cè)試條件：600V，15A，5 歐姆，15V
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：40ns/100ns
柵極電荷：74 nC
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
開(kāi)關(guān)能量：1.6mJ（開(kāi)），700μJ（關(guān)）
功率 - 最大值：245 W
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，15A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：-
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：30 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V
IGBT 類型：-
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：管件
品牌：Renesas Electronics America Inc

以上是RJH1CM5DPQ-E0#T2的詳細(xì)信息，包括RJH1CM5DPQ-E0#T2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產(chǎn)品：

FF450R07ME4B11BPSA1

F3L11MR12W2M1B74BOMA1

F3L400R07W3S5B11BPSA1