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RGW80TK65EGVC11

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: TO-3PFM
數(shù)量：: 909
說明：: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM

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RGW80TK65EGVC11 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-3PFM，SC-93-3
安裝類型：通孔
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復時間 (trr)：102 ns
測試條件：400V，40A，10 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關）值：44ns/143ns
柵極電荷：110 nC
輸入類型：標準
開關能量：760μJ（開），720μJ（關）
功率 - 最大值：81 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，40A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：160 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：39 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：溝槽型場截止
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Rohm Semiconductor

以上是RGW80TK65EGVC11的詳細信息，包括RGW80TK65EGVC11廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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