色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<button id="iocci"><strong id="iocci"></strong></button>
<strike id="iocci"></strike>

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > RGT50TM65DGC9

RGT50TM65DGC9

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: TO-220NFM
數量：: 155
說明：: IGBT TRNCH FLD 650V 21A TO220NFM

一、本商品被瀏覽0次.

RGT50TM65DGC9 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
封裝封裝/外殼：TO-220-3 整包
安裝類型：通孔
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復時間 (trr)：58 ns
測試條件：400V，25A，10歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關）值：27ns/88ns
柵極電荷：49 nC
輸入類型：標準
開關能量：-
功率 - 最大值：47 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，25A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：75 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：21 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：溝槽型場截止
產品狀態：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Rohm Semiconductor

以上是RGT50TM65DGC9的詳細信息，包括RGT50TM65DGC9廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產品：