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RGS60TS65DHRC11

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: TO-247N
數(shù)量：: 279
說明：: IGBT TRNCH FIELD 650V 56A TO247N

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RGS60TS65DHRC11 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-247-3
安裝類型：通孔
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復時間 (trr)：103 ns
測試條件：400V，30A，10 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關）值：28ns/104ns
柵極電荷：36 nC
輸入類型：標準
開關能量：660μJ（開），810μJ（關）
功率 - 最大值：223 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，30A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：90 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：56 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：溝槽型場截止
產(chǎn)品狀態(tài)：不適用于新設計
包裝：-
系列：管件
品牌：Rohm Semiconductor

以上是RGS60TS65DHRC11的詳細信息，包括RGS60TS65DHRC11廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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