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RFP30N06LE_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-220AB
數(shù)量:
 3186  
說明:
 MOSFET TO-220AB N-Ch Power
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RFP30N06LE_Q-TO-220AB圖片

RFP30N06LE_Q PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:30 ns
上升時(shí)間:88 ns
功率耗散:96 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:40 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220AB
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.047 Ohms
漏極連續(xù)電流:30 A
閘/源擊穿電壓:- 8 V, + 10 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是RFP30N06LE_Q的詳細(xì)信息,包括RFP30N06LE_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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