色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

RFD16N05_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-251
數量:
 2691  
說明:
 MOSFET TO-251AA N-Ch Power
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
RFD16N05_Q-TO-251圖片

RFD16N05_Q PDF參數資料

中文參數如下:

典型關閉延遲時間:55 ns
上升時間:30 ns
功率耗散:72 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:30 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-251
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.047 Ohms
漏極連續電流:16 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:50 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是RFD16N05_Q的詳細信息,包括RFD16N05_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC
主站蜘蛛池模板: 会理县| 东丰县| 万载县| 泊头市| 怀来县| 武城县| 习水县| 岢岚县| 长兴县| 博爱县| 武山县| 宁化县| 平南县| 甘南县| 桂平市| 高雄县| 兰考县| 启东市| 望谟县| 台东市| 封丘县| 闻喜县| 无棣县| 瓦房店市| 平江县| 乌苏市| 万全县| 陆丰市| 巴中市| 禄劝| 教育| 仙居县| 鄂伦春自治旗| 闵行区| 西乡县| 牡丹江市| 塔河县| 郸城县| 冕宁县| 玉屏| 南城县|