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RF1S640SM9A

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-263AB
數量：: 1305
說明：: MOSFET USE 512-FQP19N20C

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RF1S640SM9A PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：46 ns
工廠包裝數量：800
上升時間：50 ns
功率耗散：125 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：10 S
下降時間：35 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263AB
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.14 Ohms
漏極連續電流：18 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是RF1S640SM9A的詳細信息，包括RF1S640SM9A廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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