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RDN080N25FU6

廠家:
  ROHM Semiconductor
封裝:
 TO-220-3 整包
數(shù)量:
 4419  
說明:
 MOSFET PWR MOSFET TR DRIVE VLT-4V
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RDN080N25FU6-TO-220-3 整包圖片

RDN080N25FU6 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:500
功率耗散:35 W
柵極電荷 Qg:15 nC
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-220FN
安裝風(fēng)格:Through Hole
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.38 Ohms
漏極連續(xù)電流:8 A
汲極/源極擊穿電壓:250 V
RoHS:是
制造商:ROHM Semiconductor

以上是RDN080N25FU6的詳細(xì)信息,包括RDN080N25FU6廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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