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R8008ANX

廠家:
  ROHM Semiconductor
封裝:
 TO-220-3 整包
數(shù)量:
 8667  
說明:
 MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
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R8008ANX-TO-220-3 整包圖片

R8008ANX PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:85 ns
上升時(shí)間:50 ns
功率耗散:50 W
柵極電荷 Qg:39 nC
下降時(shí)間:30 ns
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-220
安裝風(fēng)格:Through Hole
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):1.03 Ohms
漏極連續(xù)電流:8 A
閘/源擊穿電壓:30 V
汲極/源極擊穿電壓:800 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:ROHM Semiconductor

以上是R8008ANX的詳細(xì)信息,包括R8008ANX廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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