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R6008ANX

廠家：: ROHM Semiconductor
封裝：: TO-220-3 整包
數(shù)量：: 8523
說明：: MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A

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R6008ANX PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：60 ns
上升時間：25 ns
功率耗散：50 W
柵極電荷 Qg：21 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：2.5 S
下降時間：35 ns
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-220
安裝風格：Through Hole
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.8 Ohms
漏極連續(xù)電流：8 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ROHM Semiconductor

以上是R6008ANX的詳細信息，包括R6008ANX廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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