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中文參數(shù)如下:
:
封裝封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:150°C(TJ)
功率 - 最大值:550mW
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2600pF @ 6V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):22nC @ 4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):43 毫歐 @ 3.5A,4.5V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):3.5A
漏源電壓(Vdss):12V
FET 功能:邏輯電平柵極,1.5V 驅(qū)動
配置:2 個 P 溝道(雙)
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
產(chǎn)品狀態(tài):不適用于新設(shè)計
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Rohm Semiconductor
以上是QS8J11TCR的詳細(xì)信息,包括QS8J11TCR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!