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PTFA260851EV1R250

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: H-30248-2
數(shù)量：: 2961
說明：: 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 9

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PTFA260851EV1R250 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：437.5 W
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
包裝形式：Reel
封裝形式：H-30248-2
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：12 V
漏極連續(xù)電流：900 mA
汲極/源極擊穿電壓：65 V
輸出功率：85 W
增益：14 dB
頻率：2.7 GHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：Infineon

以上是PTFA260851EV1R250的詳細(xì)信息，包括PTFA260851EV1R250廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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