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PTFA212001E V4 R250

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 H-36260-2
數(shù)量:
 6048  
說(shuō)明:
 射頻MOSFET電源晶體管 Hi Pwr RF LDMOS FET 200 W 2110-2170 MHz
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PTFA212001E V4 R250 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號(hào)別名:FA212001EV4R25XT PTFA212001EV4R250XTMA1 SP000393370
工廠包裝數(shù)量:250
系列:PTFA212001
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.05 Ohms at 10 V (Typ)
功率耗散:625 W
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最小工作溫度:- 40 C
包裝形式:Reel
封裝形式:H-36260-2
最大工作溫度:+ 150 C
閘/源擊穿電壓:12 V
漏極連續(xù)電流:1.6 A
汲極/源極擊穿電壓:65 V
輸出功率:200 W
增益:15.8 dB
頻率:2170 MHz
晶體管極性:N-Channel
配置:Single
產(chǎn)品種類(lèi):射頻MOSFET電源晶體管
制造商:Infineon

以上是PTFA212001E V4 R250的詳細(xì)信息,包括PTFA212001E V4 R250廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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