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PTFA210451E V1

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 H-30265-2
數量：
 2880  
說明：
 射頻MOSFET電源晶體管 RF POWER 45W
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PTFA210451E V1-H-30265-2圖片

PTFA210451E V1 PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：1
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.91 Ohms
功率耗散：211 W
安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 40 C
包裝形式：Tray
封裝形式：H-30265-2
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：12 V
漏極連續電流：450 mA
汲極/源極擊穿電壓：65 V
輸出功率：45 W
增益：16.5 dB
頻率：2170 MHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
產品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：Infineon

以上是PTFA210451E V1的詳細信息，包括PTFA210451E V1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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