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PTF180301EV1R250

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 H-30265
數(shù)量:
 7290  
說明:
 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GLDMOS3&7
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PTF180301EV1R250-H-30265圖片

PTF180301EV1R250 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

功率耗散:145 W
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
包裝形式:Reel
封裝形式:H-30265
最大工作溫度:+ 150 C
閘/源擊穿電壓:12 V
漏極連續(xù)電流:400 mA
汲極/源極擊穿電壓:65 V
輸出功率:30 W
增益:16.5 dB
頻率:1.99 GHz
晶體管極性:N-Channel
配置:Single
RoHS:是
產(chǎn)品種類:射頻MOSFET電源晶體管
制造商:Infineon

以上是PTF180301EV1R250的詳細信息,包括PTF180301EV1R250廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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