色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 射頻半導體 > 晶體管射頻 > 射頻MOSFET電源晶體管 > PTF180301EV1R250

PTF180301EV1R250

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: H-30265
數量：: 7290
說明：: 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GLDMOS3&7

一、本商品被瀏覽0次.

PTF180301EV1R250 PDF參數資料

中文參數如下：

功率耗散：145 W
安裝風格：SMD/SMT
包裝形式：Reel
封裝形式：H-30265
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：12 V
漏極連續電流：400 mA
汲極/源極擊穿電壓：65 V
輸出功率：30 W
增益：16.5 dB
頻率：1.99 GHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
產品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：Infineon

以上是PTF180301EV1R250的詳細信息，包括PTF180301EV1R250廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管射頻產品：

射頻硅鍺晶體管射頻雙極小信號晶體管射頻JFET晶體管射頻雙極電源晶體管射頻MOSFET小信號晶體管