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PSMN4R3-100ES,127

廠家:
  NXP Semiconductors
封裝:
 TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA
數量:
 279  
說明:
 MOSFET N-Ch 100V 4.3 m std level MOSFET
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PSMN4R3-100ES,127-TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA圖片

PSMN4R3-100ES,127 PDF參數資料

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中文參數如下:

工廠包裝數量:50
上升時間:91 ns
功率耗散:338 W
柵極電荷 Qg:170 nC
下降時間:63 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:I2PAK
安裝風格:Through Hole
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):4.3 mOhms
漏極連續電流:120 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:NXP

以上是PSMN4R3-100ES,127的詳細信息,包括PSMN4R3-100ES,127廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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