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PSMN3R3-80ES,127

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
數量：: 117
說明：: MOSFET N-Ch 80V 3.3 m std level MOSFET

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PSMN3R3-80ES,127-TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA圖片

PSMN3R3-80ES,127 PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：50
上升時間：43 ns
功率耗散：338 W
柵極電荷 Qg：135 nC
下降時間：44 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：I2PAK
安裝風格：Through Hole
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：3.3 mOhms
漏極連續電流：120 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：80 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

以上是PSMN3R3-80ES,127的詳細信息，包括PSMN3R3-80ES,127廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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