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PMGD780SN,115

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: 6-TSSOP
數量：: 11683
說明：: MOSFET N-CH TRENCH DL 60V

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PMGD780SN,115 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：PMGD780SN T/R
典型關閉延遲時間：5 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：4 ns
功率耗散：410 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：4 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-363
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：920 mOhms
漏極連續電流：0.49 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：NXP

以上是PMGD780SN,115的詳細信息，包括PMGD780SN,115廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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