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PHD82NQ03LT,118

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數(shù)量：: 4599
說明：: MOSFET TAPE13 PWR-MOS

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PHD82NQ03LT,118-TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63圖片

PHD82NQ03LT,118 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：/T3 PHD82NQ03LT
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：30 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
功率耗散：136000 mW
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-428
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：8 mOhms
漏極連續(xù)電流：75 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：NXP

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