色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類(lèi) > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > PDTA113ES,126

PDTA113ES,126

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: TO-92-3
數(shù)量：: 6075
說(shuō)明：: 開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS BISS AMMO LARGE

一、本商品被瀏覽0次.

PDTA113ES,126 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：2000
最小工作溫度：- 65 C
包裝形式：Ammo Pack
最大工作溫度：+ 150 C
峰值直流集電極電流：100 mA
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：50 V
封裝形式：SPT-3
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
典型電阻器比率：1
典型輸入電阻器：1 KOhms
晶體管極性：PNP
配置：Single
制造商：NXP

以上是PDTA113ES,126的詳細(xì)信息，包括PDTA113ES,126廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：