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PBSS8110X,135

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: UPAK
數量：: 5976
說明：: 兩極晶體管 - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS

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PBSS8110X,135 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：/T3 PBSS8110X
工廠包裝數量：4000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：2000 mW
直流電流增益 hFE 最大值：150 at 1 mA at 10 V
封裝形式：UPAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：150 at 1 mA at 10 V, 150 at 250 mA at 10 V, 100 at 500 mA at 10 V, 80 at 1 A at 10 V
增益帶寬產品fT：100 MHz
最大直流電集電極電流：1 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：100 V
集電極—基極電壓 VCBO：120 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：NXP

以上是PBSS8110X,135的詳細信息，包括PBSS8110X,135廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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