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PBSS4160DS,115

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: SC-74-6
數量：: 4922
說明：: 兩極晶體管 - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS

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PBSS4160DS,115 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：PBSS4160DS T/R
工廠包裝數量：3000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：290 mW
直流電流增益 hFE 最大值：250 at 1 mA at 5 V
集電極連續電流：1 A
封裝形式：SC-74-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：100
增益帶寬產品fT：220 MHz
最大直流電集電極電流：2 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：60 V
集電極—基極電壓 VCBO：80 V
晶體管極性：NPN
配置：Dual
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：NXP

以上是PBSS4160DS,115的詳細信息，包括PBSS4160DS,115廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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