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ONET8551TYS9

廠家：: Texas Instruments
封裝：: 觸片
數(shù)量：: 3186
說明：: IC TRANSIMPEDANCE 1 CIRC WAFER

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ONET8551TYS9 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝：觸片
封裝/外殼：模具
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 100°C
電壓 - 跨度（最大值）：3.63 V
電壓 - 跨度（最小值）：2.8 V
電流 - 輸出/通道：-
電流 - 供電：28mA
電壓 - 輸入補(bǔ)償：-
電流 - 輸入偏置：-
-3db 帶寬：9 GHz
增益帶寬積：-
壓擺率：-
輸出類型：-
電路數(shù)：1
放大器類型：轉(zhuǎn)阻
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Texas Instruments

以上是ONET8551TYS9的詳細(xì)信息，包括ONET8551TYS9廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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