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NVR1P02T1G

廠家：
  ON Semiconductor
封裝：
 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
數(shù)量：
 14646  
說明：
 MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET
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NVR1P02T1G-TO-236-3，SC-59，SOT-23-3圖片

NVR1P02T1G PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

功率耗散：400 mW
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-23
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：148 mOhm
漏極連續(xù)電流：- 1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NVR1P02T1G的詳細信息，包括NVR1P02T1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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