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NVMFS6H858NT1G

廠家：: onsemi
封裝：: 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
數量：: 2529
說明：: MOSFET N-CH 80V 8.4A/29A 5DFN

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NVMFS6H858NT1G PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：3.5W（Ta），42W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：510 pF @ 40 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：8.9 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 30μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：20.7 毫歐 @ 5A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：8.4A（Ta），29A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：80 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101
系列：卷帶（TR）
品牌：onsemi

以上是NVMFS6H858NT1G的詳細信息，包括NVMFS6H858NT1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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