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NUD3112LT1G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
數(shù)量:
 1386  
說明:
 MOSFET 12V Industrial Relay Inductive Load
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NUD3112LT1G-TO-236-3,SC-59,SOT-23-3圖片

NUD3112LT1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:3000
上升時間:61 ns
功率耗散:225 mW
最小工作溫度:- 40 C
下降時間:61 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-23-3
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 85 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):900 mOhms at 5 V
漏極連續(xù)電流:0.5 A
閘/源擊穿電壓:6 V
汲極/源極擊穿電壓:14 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是NUD3112LT1G的詳細信息,包括NUD3112LT1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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