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NTMSD3P303R2G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 8-SOIC
數量：: 7956
說明：: MOSFET -30V -3.05A P-Channel

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NTMSD3P303R2G PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：32 ns, 45 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：42 ns, 16 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：5 S
下降時間：35 ns, 45 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.085 Ohms
漏極連續電流：- 3.05 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTMSD3P303R2G的詳細信息，包括NTMSD3P303R2G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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