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NTMS4176PR2G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數量：: 7578
說明：: MOSFET PFET SO8 30V 9.6A TR

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NTMS4176PR2G PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：19.5 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：9 ns
功率耗散：1440 mW
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：1.7 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：21.5 S
下降時間：9 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：18 mOhms
漏極連續電流：7.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTMS4176PR2G的詳細信息，包括NTMS4176PR2G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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