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中文參數(shù)如下:
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:786 nS, 50 nS
工廠包裝數(shù)量:3000
上升時(shí)間:227 nS, 23 nS
功率耗散:270 mW
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:1.3 nC, 2.2 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :2 S, 2 S
下降時(shí)間:506 nS, 36 nS
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-363-6
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.29 Ohms at 4.5 V, 0.22 Ohms at - 4.5 V
漏極連續(xù)電流:630 mA, - 775 mA
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V, +/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V, - 8 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:否
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NTJD4105CT1的詳細(xì)信息,包括NTJD4105CT1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!