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NTHD4P02FT1G

廠(chǎng)家：: ON Semiconductor
封裝：: 8-SMD，扁平引線(xiàn)
數(shù)量：: 7995
說(shuō)明：: MOSFET -20V -3A P-Channel w/3A Schottky

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NTHD4P02FT1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：33 ns
工廠(chǎng)包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：13 ns
功率耗散：1.1 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：5 S
下降時(shí)間：13 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：ChipFET-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.2 Ohms
漏極連續(xù)電流：- 3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTHD4P02FT1G的詳細(xì)信息，包括NTHD4P02FT1G廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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