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NTHD3100CT1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: ChipFET?
數(shù)量：: 4689
說明：: MOSFET 20V +3.9A/-4.4A Complementary

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NTHD3100CT1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：9.6 ns at N Channel, 16 ns at P Channel
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：10.7 ns at N Channel, 11.7 ns at P Channel
功率耗散：1.1 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：6 S, 8 S
下降時間：10.7 ns at N Channel, 11.7 ns at P Channel
包裝形式：Reel
封裝形式：ChipFET-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：58 mOhms, 64 mOhms
漏極連續(xù)電流：3.9 A, - 4.4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V, +/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V, - 20 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTHD3100CT1G的詳細(xì)信息，包括NTHD3100CT1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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