色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<cite id="m8yik"></cite>

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > NTGS5120PT1G

NTGS5120PT1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 6-TSOP
數(shù)量：: 4563
說明：: MOSFET PFET TSOP6 60V 2.5A 110mOhm

一、本商品被瀏覽0次.

NTGS5120PT1G PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：38 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：4.9 ns
功率耗散：1400 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：4.9 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSOP-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：111 mOhms
漏極連續(xù)電流：2.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTGS5120PT1G的詳細信息，包括NTGS5120PT1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：