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NTD5865NL-1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: I-PAK
數(shù)量：: 7092
說(shuō)明：: MOSFET Single N-CH 60V 40A

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NTD5865NL-1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：52 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：29 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：15 S
包裝形式：Rail
封裝形式：IPAK
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：16 mOhms
漏極連續(xù)電流：40 A
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD5865NL-1G的詳細(xì)信息，包括NTD5865NL-1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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