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NTD4909N-1G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
數(shù)量:
 2601  
說(shuō)明:
 MOSFET NFET DPAK 30V 41A 8.0 mOhm
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NTD4909N-1G-TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA圖片

NTD4909N-1G PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

功率耗散:2.6 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Rail
封裝形式:IPAK
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):12 mOhms
漏極連續(xù)電流:41 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是NTD4909N-1G的詳細(xì)信息,包括NTD4909N-1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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