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NTD4856N-35G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 I-Pak
數量:
 2241  
說明:
 MOSFET NFET 25V 89A 0.0047R DPAK
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NTD4856N-35G-I-Pak圖片

NTD4856N-35G PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:27.2 ns
工廠包裝數量:75
上升時間:22.5 ns
功率耗散:2.14 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :73 S
下降時間:7.5 ns
包裝形式:Rail
封裝形式:3-IPAK
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):5.3 mOhms
漏極連續電流:16.8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:25 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是NTD4856N-35G的詳細信息,包括NTD4856N-35G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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